EVERLIGHT Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 39A TO247-4-TSC THT

EVERLIGHT Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 39A TO247-4-TSC THT este un dispozitiv de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații ce necesită o disipare termică eficientă și fiabilitate sporită. Fabricat de EVERLIGHT, acest tranzistor beneficiază de tehnologia avansată Silicon Carbide (SiC), oferind o tensiune maximă drenă-sursă de 1,2 kV și un curent continuu de drenă de 39 A, cu un curent în impuls de până la 171 A. Carcasa robustă TO247-4-TSC cu montare prin găuri (THT) asigură o disipare a puterii de până la 454 W, optimizată prin caracteristici precum răcirea pe partea superioară (SMD Top Side Cooling) și terminal Kelvin pentru o măsurare precisă și stabilă. Tranzistorul are o rezistență internă în timpul funcționării de doar 0,1 Ω, cu o polarizare unipolară și un canal de tip îmbogățit, ceea ce contribuie la eficiența operațională. Tensiunea poartă-sursă variază între -4 V și 18 V, iar încărcătura poartă este de 115 nC, garantând un control precis al comutării. Ambalat în tub, acest N-MOSFET este soluția ideală pentru sisteme ce necesită performanță superioară și durabilitate crescută.