IGBT Tranzistor 1,2kV 33A 417W TO247-3
- Ramburs
- Online


Descriere
Raporteaza produsVânzatorul este direct răspunzator pentru produsul afișat în această pagină.
-
MarcaMicrochip
Specificatii
IGBT Tranzistor 1,2kV 33A 417W TO247-3 de la Microchip este componenta ideală pentru aplicații de înaltă performanță ce necesită un control eficient al puterii. Acest tranzistor IGBT oferă o combinație optimă între tensiune ridicată și curent mare, asigurând fiabilitate și durabilitate în utilizare.
- Producător: Microchip (MICROSEMI)
- Cod producător: APT25GP120BG
- Tip tranzistor: IGBT
- Montare: THT (Through-Hole Technology)
- Carcasă: TO247-3, subtip tub
- Putere disipată: 417W
- Curent de colector: 33A
- Curent de colector pulsat: 90A
- Tensiune colector-emiţător: 1,2 kV
- Tensiune poartă - emiţător: ±20V
- Încărcătură poartă: 110nC
- Timp activare: 26ns
- Timp dezactivare: 197ns
- Tehnologie: POWER MOS 7®, PT
Acest tranzistor este proiectat pentru aplicații de comutare rapidă și control precis în surse de alimentare, invertori și alte echipamente electronice industriale. Carcasa TO247-3 permite o disipare termică eficientă, iar tehnologia avansată POWER MOS 7® asigură performanță optimă și durabilitate în condiții exigente.
Alege IGBT Tranzistor 1,2kV 33A 417W TO247-3 Microchip pentru fiabilitatea și eficiența de top în proiectele tale electronice profesionale.
Galerie foto
Modalitati de livrare si plata
LIVRARE
In Slobozia
-
- Prin Curier rapid - 17.85 Lei in max. 3 zile lucratoare
In Romania:
-
- Prin Curier rapid - 17.85 Lei in max. 3 zile lucratoare
PLATA
- - Ramburs
- - Online
Politica de retur
- - Produsul se poate returna in maxim 3 zile lucratoare
- - Metoda de retur: Ramburs contravaloare produs
- - Costul transportului va fi suportat de catre cumparator
- - Alte detalii: Retur acceptat in conditiile Garantiei de Livrare
Spune-ti parerea acordand o nota produsului