Modul mono-tranzistor înşurubare 1,2kV 74A SOT227B

Descoperiți Modul mono-tranzistor înşurubare 1,2kV 74A SOT227B de la GeneSiC SEMICONDUCTOR, o soluție de vârf pentru aplicații de putere înaltă. Acest modul cu tranzistor MOSFET, construit pe baza tehnologiei avansate G3R™, oferă o putere disipată impresionantă de 365W, ceea ce îl face ideal pentru utilizări în condiții extreme.

Cu o carcasă SOT227B și un sistem de montare electrică și mecanică prin înşurubare, acest dispozitiv asigură o instalare simplă și fiabilă. Structura mono-tranzistor permite o gestionare eficientă a curentului, având un curent de drenă de 74A și un curent de drenă în impuls de până la 240A, perfect pentru aplicații care necesită performanțe ridicate.

Tensiunea drenă-sursă de 1,2kV și tensiunea poartă-sursă variabilă între -5V și 15V oferă flexibilitate în proiectare, în timp ce rezistența în timpul funcționării de doar 20mΩ asigură o eficiență energetică superioară. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit fac din acest modul o alegere excelentă pentru inginerii care caută soluții de înaltă performanță și durabilitate.

Alegeți Modul mono-tranzistor înşurubare 1,2kV 74A SOT227B de la GeneSiC SEMICONDUCTOR pentru a beneficia de tehnologie de vârf în domeniul electronicii de putere!