Numar articol: 252736170. Vezi produse asemanatoare.

N-MOSFET GigaMOS 40V 600A 830W Tranzistor

Name: N-MOSFET GigaMOS 40V 600A 830W Tranzistor
Brand: IXYS
SKU: 252736170
Price: 305.46 RON
Availability: inStock

Livrare gratuita la comenzile de 400 lei

Disponibilitate:

In stoc 20 disponibile

Livrare:

Curier rapid - 17,85 Lei Detalii

Estimat livrare:

Joi, 16 Oct.

Cantitate:

Pret:

305,⁴⁶ Lei

Primesti 305 puncte in aplicatie

Produs:

Nou, Ofer garanție, Cu factură

Politica de retur:

Acest produs poate fi returnat in 3 zile Detalii

Plata:

Ramburs
Online

Vandut de:

SISSOFT GLOBAL SRL

77.78% pozitive (din 5 )

Intreaba vanzatorul

Descriere

Raporteaza produs

Vânzatorul este direct răspunzator pentru produsul afișat în această pagină.

Marca

IXYS

Specificatii

Tranzistorul N-MOSFET GigaMOS™ unipolar 40V 600A Idm: 2kA 830W, MMIX1T600N04T2 de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră de electronică. Acest tranzistor are o putere disipată impresionantă de 830W și poate suporta un curent de drenă în impuls de până la 2kA. Cu o polarizare unipolară și un curent de drenă de 600A, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și consistente.

Cu o tensiune drenă-sursă de 40V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Tehnologia TrenchT2™ asigură o funcționare eficientă și fiabilă, iar rezistența în timpul funcționării de 1.3mΩ îl face ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță.

Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 590nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră de putere. Cu un timp de restabilire rapid de 100ns, acest tranzistor oferă performanțe de vârf într-un pachet compact și ușor de montat SMD. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET GigaMOS™ de la IXYS pentru rezultate remarcabile în proiectele dumneavoastră de electronică.