N-MOSFET Unipolar 800V 26A APT38F80B2

Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 26A Idm: 150A 1,04kW, APT38F80B2 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe superioare în domeniul electronicelor.

Cu o montare THT și o carcasă TO247MAX, acest tranzistor utilizează tehnologia POWER MOS 8® pentru a asigura fiabilitate și eficiență. Cu o putere disipată de 1.04kW, acesta poate gestiona un curent de drenaj în impuls de până la 150A, facilitând astfel funcționarea optimă a dispozitivelor electronice.

Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face potrivit pentru o varietate de aplicații, iar curentul de drenaj de 26A și tensiunea drenaj-sursă de 800V îl fac ideal pentru utilizare în diferite circuite. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și rezistența în timpul funcționării de 0.24Ω îl fac un component esențial pentru proiectele electronice complexe.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 260nC, acest tranzistor N-MOSFET este conceput pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Este un produs de încredere, care se remarcă prin calitate și eficiență, fiind alegerea perfectă pentru proiectele electronice exigente.