Tranzistor IGBT 1,7kV 10A 150W TO263

Tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 150W TO263 este un dispozitiv semiconductoare de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor este fabricat de IXYS, un producător renumit în industria electronică.

Tranzistorul este ambalat într-un tub TO263 și poate fi montat cu ușurință pe o placă de circuit imprimat folosind tehnologia SMD. Cu o putere disipată de 150W, acest dispozitiv este capabil să gestioneze sarcini de curent de până la 10A.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o tensiune mare între colector și emitor de 1,7kV, precum și o tensiune de poartă - emitor de ±20V. Timpul de activare rapid de 43ns și timpul de dezactivare de 370ns fac acest tranzistor ideal pentru aplicații care necesită comutare rapidă și eficientă a curentului.

Cu o încărcătură de poartă de 65nC, acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ este potrivit pentru aplicații care necesită o gestionare precisă a semnalului. Tehnologia avansată BiMOSFET™ asigură o performanță superioară și o durată lungă de viață a dispozitivului.

În concluzie, tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 150W TO263 este soluția perfectă pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă, o putere mare și o fiabilitate excelentă.