Tranzistor IGBT BiMOSFET 1,7kV 65A 1,04kW

Tranzistorul IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 65A 1,04kW PLUS247™, IXBX75N170A de la IXYS este un component electronic de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile tale. Acest tranzistor are o putere de disipare de 1.04kW, un curent de colector de 65A și o tensiune de 1.7kV între colector și emitor. Tehnologia BiMOSFET™ și caracteristicile elementelor semiconductoare de tensiune înaltă fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile tale cu cerințe ridicate de performanță. Cu un timp de activare de 65ns și un timp de dezactivare de 595ns, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și eficientă a semnalului. Montat în carcasă PLUS247™ și disponibil în ambalaj tub, acest tranzistor IGBT este ușor de integrat în designul tău. Fiind un tranzistor IGBT, acesta are o capacitate de încărcare a porții de 358nC și poate suporta curent pulsatoriu de până la 300A. Alege Tranzistorul IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 65A 1,04kW PLUS247™, IXBX75N170A pentru aplicațiile tale de înaltă performanță!