Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 100A DIOTEC SEMICONDUCTOR

Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 100A DIOTEC SEMICONDUCTOR reprezintă soluția ideală pentru aplicații care necesită eficiență și performanță superioară. Fabricat de DIOTEC SEMICONDUCTOR, acest tranzistor beneficiază de o tehnologie avansată SiC care asigură o disipare a puterii de până la 550W, fiind capabil să suporte un curent de drenă de 100A și un curent de drenă în impuls de până la 300A. Montarea se realizează prin tehnologia THT, iar carcasa TO247-3 permite integrări ușoare în diverse aplicații.

Cu o tensiune drenă-sursă de 650V și o rezistență în timpul funcționării de doar 16mΩ, acest tranzistor garantează o performanță optimă și o eficiență energetică crescută. Polarizarea unipolară și o tensiune poartă-sursă variind între -4...15V îl fac versatil pentru o gamă largă de aplicații. Încărcătura poartă de 236nC și subtipul canalului îmbogățit contribuie la stabilitatea și rapiditatea comutării. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC 650V 100A DIOTEC SEMICONDUCTOR pentru soluții electrice de înaltă performanță, fiabilitate și eficiență.