N-MOSFET SiC 1.2kV 46A 323W MSC040SMA120B4

Tranzistorul MICROCHIP (MICROSEMI) N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 46A Idm: 105A 323W, MSC040SMA120B4 este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe din domeniul electronicelor. Acest tranzistor impresionant se remarcă prin tehnologia sa avansată SiC, care oferă performanțe superioare și durabilitate pe termen lung.

Carcasa TO247-4 asigură o montare simplă și sigură, iar terminalul Kelvin permite o conexiune precisă și stabilă. Cu o putere disipată impresionantă de 323W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini mari și temperaturi ridicate.

Cu un curent de drenă în impuls de 105A și un curent drenă de 46A, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în aplicații cu cerințe ridicate de curent. Polarizarea unipolară și tensiunea drenă-sursă de 1.2kV asigură o funcționare stabilă și eficientă.

Rezistența în timpul funcționării de 50mΩ și subtipul canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații care necesită o rezistență scăzută și o performanță de vârf. Cu o încărcătură de poartă de 137nC, acest tranzistor asigură o comutare rapidă și precisă.

În concluzie, tranzistorul MICROCHIP (MICROSEMI) N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 46A Idm: 105A 323W, MSC040SMA120B4 este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită fiabilitate, performanță și durabilitate.