Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 34A 270W SCTWA30N120

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 34A Idm: 90A 270W, SCTWA30N120 de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Cu o putere disipată de 270W și o rezistență în timpul funcționării de doar 0.1Ω, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de curent mari în condiții de funcționare extreme.

Carcasa HIP247™ și tehnologia SiC asigură o disipare eficientă a căldurii, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o performanță fiabilă pe termen lung. Cu un curent de drenă în impuls de 90A și o tensiune drenă-sursă de 1.2kV, acest tranzistor oferă o funcționare stabilă și sigură în condiții de sarcină variabilă.

Încărcătura poartă de 105nC și tipul N-MOSFET fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare și eficiență. Montat în mod tradițional (THT) și ambalat într-un tub, acest tranzistor este ușor de integrat într-o varietate de proiecte electronice.

Cu caracteristici remarcabile precum polarizare unipolară, curent de drenă de 34A și un design robust, Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 34A Idm: 90A 270W, SCTWA30N120 este soluția ideală pentru aplicații care necesită o performanță de vârf și fiabilitate pe termen lung.