N-MOSFET SiC Tranzistor 1,2kV 50A 318W

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 50A Idm: 130A 318W, SCT50N120 de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe superioare în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este montat în tehnologie THT și are o carcasă HIP247™, asigurând o montare ușoară și eficientă. Cu o putere disipată de 318W, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de până la 130A în impuls, fiind ideal pentru aplicații care necesită o putere mare.

Cu o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 50A, acest tranzistor oferă o performanță fiabilă și constantă. Tensiunea drenaj-sursă de 1.2kV și tensiunea poartă-sursă de -10...25V fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de tensiune și curent.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 70mΩ și o încărcătură de poartă de 122nC, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și durabilă. Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor oferă performanțe superioare în aplicațiile cu semnal negativ.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 50A Idm: 130A 318W, SCT50N120 de la STMicroelectronics este o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită o putere mare și o performanță fiabilă. Cu caracteristici de top și o tehnologie avansată, acest tranzistor va satisface cerințele celor mai exigente aplicații.