Tranzistor N-JFET/N-MOSFET GaN HEMT 650V

Tranzistorul N-JFET/N-MOSFET GaN unipolar HEMT în cascadă 650V de la NEXPERIA este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe ale aplicațiilor moderne. Acest tranzistor impresionează cu o putere disipată de 187W și un curent de drenă în impuls de 240A, asigurând o funcționare fiabilă și eficientă. Polarizarea unipolară și rezistența redusă în timpul funcționării de doar 35mΩ fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță.

Carcasa TO247 și SOT429 asigură o montare ușoară și sigură, în timp ce tensiunea drenă-sursă de 650V și tensiunea poartă-sursă de ±20V oferă flexibilitate și fiabilitate în funcționare. Cu o încărcătură poartă de 22nC și tehnologia avansată GaN, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații sensibile la performanță și eficiență. Fie că este utilizat în telecomunicații, electronică de putere sau alte domenii, tranzistorul N-JFET/N-MOSFET GaN unipolar HEMT în cascadă 650V de la NEXPERIA se distinge prin performanță superioară și fiabilitate remarcabilă.