Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A 241W
- Ramburs
- Online


Descriere
Raporteaza produsVânzatorul este direct răspunzator pentru produsul afișat în această pagină.
-
MarcaBasic SEMICONDUCTOR
Specificatii
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A 241W de la BASiC SEMICONDUCTOR este o soluție performantă pentru aplicații ce necesită comutare eficientă și stabilitate la tensiuni înalte.
- Putere disipată: 241W
- Curent drenă continuu: 27A
- Curent drenă în impuls: 80A
- Tensiune drenă-sursă: 1.2 kV
- Tensiune poartă-sursă: -5...20V
- Rezistență în timpul funcționării: 80 mΩ
- Încărcătură poartă: 149 nC
- Tip canal: îmbogățit (enhancement)
- Polarizare: unipolar
- Tehnologie: SiC (carbură de siliciu)
- Montare: THT (Through-Hole Technology)
- Carcasă: TO247-3
- Subtip ambalaj: tub
- Cod producător: B1M080120HC
Acest tranzistor N-MOSFET SiC este ideal pentru aplicații industriale și electronice unde sunt necesare performanțe ridicate la tensiuni și curenți mari, oferind o eficiență sporită datorită tehnologiei avansate de carbură de siliciu. Carcasa TO247-3 asigură o disipare termică optimă, iar montarea THT facilitează integrarea în diverse echipamente.
Galerie foto
Modalitati de livrare si plata
LIVRARE
In Slobozia
-
- Prin Curier rapid - 17.85 Lei in max. 3 zile lucratoare
In Romania:
-
- Prin Curier rapid - 17.85 Lei in max. 3 zile lucratoare
PLATA
- - Ramburs
- - Online
Politica de retur
- - Produsul se poate returna in maxim 3 zile lucratoare
- - Metoda de retur: Ramburs contravaloare produs
- - Costul transportului va fi suportat de catre cumparator
- - Alte detalii: Retur acceptat in conditiile Garantiei de Livrare
Spune-ti parerea acordand o nota produsului