Tranzistor N-MOSFET SiC 700V 89A 370W

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 700V 89A Idm: 315A 370W, MSC015SMA070S de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații electronice avansate. Cu o putere disipată de 370W și o rezistență în timpul funcționării de doar 19mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență remarcabilă și fiabilitate pe termen lung.

Montat în format SMD și având o carcasă D3PAK, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse configurații de circuite electronice. Tehnologia avansată SiC asigură o performanță superioară și o durată lungă de viață a dispozitivului.

Cu un curent de drenă în impuls de 315A și un curent drenă de 89A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere ridicate fără probleme. Tensiunea drenă-sursă de 700V și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o funcționare fiabilă și eficientă.

Încărcătura poartă de 215nC și tipul N-MOSFET fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru proiectele care necesită un control precis al curentului și tensiunii. Cu MICROCHIP (MICROSEMI) ca producător de încredere, puteți avea încredere în calitatea și performanța acestui tranzistor de înaltă calitate.