Tranzistor N-MOSFET Silicon Carbide 1.2kV 60A

Descoperiți puterea și eficiența avansată a Tranzistorului N-MOSFET Silicon Carbide 1.2kV 60A de la BASiC SEMICONDUCTOR, un component esențial pentru aplicațiile de înaltă tensiune și curent. Acest tranzistor, cu o montare THT și carcasă TO247PLUS-4, este conceput pentru a oferi performanțe superioare în condiții exigente. Cu o capacitate de putere disipată de 375W și un curent de drenă de 60A, acest dispozitiv poate gestiona sarcini intense cu ușurință.

Datorită tehnologiei avansate de Silicon Carbide (SiC), tranzistorul asigură o rezistență în timpul funcționării de doar 50mΩ, maximizând eficiența energetică și reducând pierderile de putere. Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2kV și un curent de drenă în impuls de 190A, acesta este ideal pentru aplicații industriale, de putere și electrice avansate.

Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit oferă o stabilitate excelentă în condiții de operare variate. Încărcătura poartă de 40nC și intervalul tensiunii poartă-sursă de -4...18V facilitează integrarea ușoară în circuite complexe. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET Silicon Carbide 1.2kV 60A de la BASiC SEMICONDUCTOR pentru soluții electrice de încredere și eficiente!