Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 25A 183W
- Ramburs
- Online


Descriere
Raporteaza produsVânzatorul este direct răspunzator pentru produsul afișat în această pagină.
-
MarcaNEXPERIA
Specificatii
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 25A Idm: 80A 183W de la
NEXPERIA este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații
electronice exigente. Acest tranzistor are o putere disipată
impresionantă de 183W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini
grele. Cu o curent de drenă în impuls de 80A și un curent de drenă
de 25A, acest tranzistor este capabil să gestioneze o varietate de
sarcini.
Carcasa TO247-3 asigură o montare ușoară și sigură, iar subtipul
ambalajului sub formă de tub îl face convenabil de utilizat.
Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face ușor de integrat
în diferite circuite. Tensiunea drenă-sursă de 1,2kV și tensiunea
poartă-sursă de -10...22V oferă o protecție eficientă împotriva
supratensiunilor.
Rezistența redusă în timpul funcționării de 0,12Ω și subtipul canal
îmbogățit contribuie la eficiența energetică a acestui tranzistor.
Încărcătura poartă de 52nC și tehnologia avansată SiC îl fac
potrivit pentru aplicații sensibile la performanță. Cu acest
tranzistor N-MOSFET de la NEXPERIA, veți obține rezultate
remarcabile în proiectele dvs. electronice.
Galerie foto
Modalitati de livrare si plata
LIVRARE
In Slobozia
-
- Prin Curier rapid - 17.85 Lei in max. 3 zile lucratoare
In Romania:
-
- Prin Curier rapid - 17.85 Lei in max. 3 zile lucratoare
PLATA
- - Ramburs
- - Online
Politica de retur
- - Produsul se poate returna in maxim 3 zile lucratoare
- - Metoda de retur: Ramburs contravaloare produs
- - Costul transportului va fi suportat de catre cumparator
- - Alte detalii: Retur acceptat in conditiile Garantiei de Livrare
Spune-ti parerea acordand o nota produsului